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大功率LED芯片


晶能光電硅襯底大功率LED芯片是基于獲得2015年度國家技術(shù)發(fā)明獎一等獎的硅襯底氮化鎵基LED技術(shù)制造，具有電流分布均勻擴(kuò)散快，單面出光，方向性好，光品質(zhì)好，所以特別適合汽車照明、探照燈、礦燈等移動照明、手機(jī)閃光燈以及光品質(zhì)要求比較高的高端照明領(lǐng)域。


產(chǎn)品型號尺寸 (mil)?電流范圍 (mA)? ? 輸出功率/mW? ? ? 電壓/V? ? ?主波長 (nm)?
LPTBG18A18x18150~200210~285@150mA2.8-3.4@150mA445-465@150mA
LPTBG24A24x24350~500510~680@350mA2.9-3.4@350mA445-465@350mA
LPTBG26G26x26350~500525~680@350mA2.9-3.4@350mA445-465@350mA
LPTBG27C27x27350~500500~680@350mA2.9-3.4@350mA445-465@350mA
LPTBG30D30x30350~500540~680@350mA2.8-3.3@350mA445-465@350mA
LPTBG32E32x32350~500540~680@350mA2.8-3.3@350mA445-465@350mA
LPTBG35B35x35350~700550~760@350mA2.7-3.3@350mA445-465@350mA
LPTBG36C36x36350~700570~760@350mA2.7-3.3@350mA445-465@350mA
LPIBG36A36x36350~500400~640@350mA2.6-3.4@350mA445-465@350mA
LPTBG42C42x42350~1000570~800@350mA2.7-3.3@350mA445-465@350mA
LPTBG45D45x45350~1000540~760@350mA2.7-3.2@350mA445-465@350mA
LPTBG56E56x56350~1500600~860@350mA2.6-3.1@350mA445-465@350mA
LPTBG55D55x55C350~3500600~800@350mA2.8-3.1@1A445-465@1A
LPIBG63C63x63350~1500510~680@350mA2.6-3.1@350mA445-465@350mA
LPTBG63D63x63C350~4500600~860@350mA2.7-3.2@1A445-465@1A
LPTBG73F73x73350~2000600~860@350mA2.7-3.0@1A445-465@1A
LPTBG81F81x81350~2000600~860@350mA2.7-3.0@1A445-465@1A
LPTBG80F80x80C1000~7000570~760@350mA2.7-3.1@1A445-465@1A
LPTBGC0E120x120C1000~10000600~800@350mA2.6-3.0@1A445-465@1A


文獻(xiàn)資料

應(yīng)用領(lǐng)域

便攜式照明

手機(jī)閃光燈

車用照明

特殊照明

室內(nèi)外照明

特點和優(yōu)點

● 采用銀反射鏡電極，電流分布更均勻，可用大電流驅(qū)動

● 硅襯底比藍(lán)寶石襯底散熱好

● 具有朗伯發(fā)光形貌，白光出光均勻，容易二次配光

● 打線少，可靠性高

● 可采用導(dǎo)電銀膠，焊錫或共晶焊固晶

● 硅襯底LED芯片單面出光，且分布均勻，適合做熒光粉直涂的直接白光芯片，降低封裝成本

● 適合于陶瓷基板封裝，使大功率封裝容易自動化